可根据客户科研和实际需要定制加工发货！

型号：掺杂类型 N/P磷、砷、硼

晶向：<111><100><110>

电阻率：0.001-20000(Ω·cm)

平整度STIR：<1μm

翘曲度TTV：<3μm

弯曲的BOW：<5μm

粗糙度Ra：<0.5nm

颗粒度pewaferr：<10颗 (forsize>0.3μm)

包装方式：1片包装、5片包装、10片封装、25片封装超洁净无尘铝箔真空封装；

现有库存厚度μm：双抛200-2000μm、单抛150-5000μm之间各种厚度硅片均可提供。

用途介绍：用于高校、科研所、高科技公司实验室用于同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试 基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体、TFT薄膜晶体管基底、纳米压印衬底，二维材料衬底等。