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产品介绍

产品介绍

科研专用高纯度单晶硅片SEM光学生物载体方片

各种单抛硅片

市场价:10.00

价格:4.94

高纯单晶抛光硅片，已激光划片，方便大小使用，小硅片尺寸是3、5、10、15、20、25、30、40、50mm的方片，硅片厚度550um-725um，有少量库存，其他尺寸的需要定制，请联系店家。可用于同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM等领域。生长方法     直拉单晶                抛光           单抛（抛光面有蓝膜保护） 晶体取向    <100> 电阻率        1~30工艺参数     平整度TIR<3μm、挠曲度ttv<10μm、弯曲度bow<10μm、粗糙度<0.5nm、颗粒度<10（for size="">0.3μm） 加工定制    客户如果需要不同参数的硅片，请联系客服<img src="http://pro791978.pic48.websiteonline.cn/upload/20200228_095654_051.jpg" width="750" height="750"/>
3英寸科研衬底晶圆片单面抛光硅片高纯度单晶硅

各种单抛硅片

市场价:0.00

价格:0.00

产品名称：3英寸二氧化硅抛光硅片(SjO2)生长方式：直拉单晶（CZ）热氧化工艺直径与工差：76.2±0.4mm掺杂类型：N型（掺磷，砷， 锑） P型（掺硼）晶向：<111><100>电阻率： 0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制工艺数据：平整度TIR:<3μm 、翘曲度TTV: <10μm 、弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度< 10 (for size > 0.3μm)<img src="http://pro791978.pic48.websiteonline.cn/upload/20200228_091541_029.jpg" width="750" height="750"/>
高纯度单晶硅镀膜电镜科研衬底晶圆片

各种单抛硅片

市场价:0.00

价格:0.00

产品名称：4英寸二氧化硅抛光硅片(SjO2)生长方式：直拉单晶（CZ）热氧化工艺直径与工差：100±0.4mm掺杂类型：N型（掺磷，砷， 锑） P型（掺硼）晶向：<111><100>电阻率： 0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制工艺数据：平整度TIR:<3μm 、翘曲度TTV: <10μm 、                弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度< 10 (for size > 0.3μm)用途介绍：用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、 SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体<img src="http://pro791978.pic48.websiteonline.cn/upload/TB2dnoNXkKWBuNjy1zjXXcOypXa_!!3166427655.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro791978.pic48.websiteonline.cn/upload/20200228_095338_049.jpg" width="750" height="750" style=""/>

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