产品名称：3英寸二氧化硅抛光硅片(SjO2)

生长方式：直拉单晶（CZ）热氧化工艺

直径与工差：76.2±0.4mm

掺杂类型：N型（掺磷 ， 砷 ， 锑） P型（掺硼）

晶向：<111><100>

电阻率： 0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制

工艺数据：平整度TIR:<3μm 、 翘曲度TTV: <10μm 、弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度< 10 (for size > 0.3μm)