硅通孔技术（Through Silicon Via， TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。

TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。

TSV技术的优势

①缩小封装尺寸；

②高频特性出色，减小传输延时、降低噪声；

③降低芯片功耗，据称，TSV可将硅锗芯片的功耗降低大约40%；

④热膨胀可靠性高。

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